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Ansätze für eine Bifurkationsanalyse von RF LC-Tank VCOs unter Berücksichtigung nichtlinearer Bauelementegleichungen [Approaches for a bifurcation analysis of RF LC tank voltage-controlled oscillators in consideration of nonlinear equations of components]

机译:考虑组件非线性方程的RF LC谐振电路压控振荡器的分叉分析方法[考虑组件非线性方程的RF LC谐振电路压控振荡器的分叉分析方法]

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摘要

Es wird ein alternativer Ansatz zum Entwurf von vollintegrierten LC Oszillatoren mit Hilfe der Andronov-Hopf Bifurkationsanalyse unter Einbeziehung eines nichtlinearen Overall-Modells für MOS-Transistoren (EKV-Modell) vorgestellt. Das in dieser Arbeit vorgestellte Verfahren beschreibt die MOS-Kapazität des VCOs über geometrische Gundgrößen, die damit nur als Längen- und Weitenverhältnisse in die Bifurkationsanalyse eingehen. Zur Beschreibung der MOS-Kapazität wurde ein Basic-Charge-Modell, wie es in den Arbeiten von Enz und Vittoz vorgestellt wurde, in Verbindung einer expliziten analytischen Näherung des Oberflächenpotenzials verwendet. Das Verfahren ermöglicht es, als zusätzlichen Freiheitsgrad für den Designer auch die Amplitude zur Optimierung der Bauteilparameter heranzuziehen und vorab eine genauere Abschätzung der Parameter des Varaktors zu erhalten. Zusammengefasst in einer Toolbox führt die Anwendung des Verfahrens auf einen grafischen Optimierungsprozess, mit dessen Hilfe die Parameter analytisch bestimmt werden können. Die verwendete Methode erweitert den von Hajimiri und Ham vorgestellten Entwurfsprozess von LC-Tank VCOs um eine Stabilitätsanalyse, die Berücksichtigung harmonischer höherer Ordnung und die physikalisch exakte Modellierung der Varaktorkapazitäten.
机译:介绍了一种借助Andronov-Hopf分叉分析设计全集成LC振荡器的替代方法,其中包括MOS晶体管的非线性整体模型(EKV模型)。这项工作中介绍的方法通过几何基本尺寸描述了VCO的MOS容量,因此,分叉分析中仅以长度和宽度之比将其包括在内。 Enz和Vittoz的工作中介绍的基本电荷模型用于描述与表面势的显式解析近似有关的MOS电容。该方法使得有可能使用振幅来优化部件参数,作为设计者的附加自由度,并预先获得变容二极管的参数的更精确估计。总结在工具箱中,该方法的应用导致了图形优化过程,借助该过程可以解析地确定参数。通过稳定性分析,对高次谐波的考虑以及变容二极管容量的物理精确建模,所使用的方法扩展了Hajimiri和Ham提出的LC-Tank VCO的设计过程。

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